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首頁-產(chǎn)品系統(tǒng)--納米壓印設(shè)備-GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設(shè)備
產(chǎn)品型號：
簡要描述：GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設(shè)備是一種專門為晶圓級光學(xué)加工（WLO-Wafer Level Optics）開發(fā)的全幅紫外納米壓印設(shè)備，可在200mm基底面積上平行復(fù)制生產(chǎn)聚合物光學(xué)器件。
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GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設(shè)備是一種專門為晶圓級光學(xué)加工（WLO-Wafer Level Optics）開發(fā)的全幅紫外納米壓印設(shè)備，可在200mm基底面積上平行復(fù)制生產(chǎn)聚合物光學(xué)器件。
GL8 MLA Gen2是一種專門為晶圓級光學(xué)加工（WLO-Wafer Level Optics）開發(fā)的全幅紫外納米壓印設(shè)備，可在200mm基底面積上平行復(fù)制生產(chǎn)聚合物光學(xué)器件。
該設(shè)備支持從晶圓級母模具表面自動復(fù)制柔性復(fù)合工作模具，工作模具具有精度高，壽命長等特點，可以顯著降低大面積納米壓印工藝中模具使用成本。內(nèi)置的點膠系統(tǒng)、APC（主動模具基底平行控制）技術(shù)、以及自動脫模功能都保證了大面積晶圓級光學(xué)生產(chǎn)的精度、均勻性（TTV）與良率。同時，自動模具基底對位系統(tǒng)還可實現(xiàn)晶圓之間對位堆疊工藝（WLS-Wafer Level Stacking）。
GL8 MLA納米壓印設(shè)備適用于DOE、勻光片（Diffuser）、微透鏡陣列、菲涅爾透鏡等產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)。
●經(jīng)過量產(chǎn)驗證的200mm晶圓級光學(xué)生產(chǎn)（WLO）設(shè)備
●APC主動模具基底平行控制技術(shù)，確保大面積晶圓壓印TTV均勻性
●設(shè)備內(nèi)自動復(fù)制柔性復(fù)合工作模具，降低大面積納米壓印模具使用成本
●內(nèi)置自動點膠功能
●自動壓印、自動曝光固化、自動脫模，工藝過程無需人工干預(yù)
●標(biāo)配高功率紫外LED面光源（365nm，光強>1000mW/cm2 ），水冷冷卻，特殊功率以及特殊、混合波長光源可訂制，支持各種商用納米壓印材料
●標(biāo)配設(shè)備內(nèi)部潔凈環(huán)境與除靜電裝置
●隨機提供全套納米壓印工藝與材料，包括標(biāo)準(zhǔn)示范WLO等工藝流程，幫助客戶零門檻達(dá)到高質(zhì)量的納米壓印水平
| 兼容基底尺寸 | 2inch、100mm、150mm、200mm 特殊尺寸可以定制 |
| 支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等 |
| 上下片方式 | 手動上下片 |
| 晶圓預(yù)對位 | 機械夾持預(yù)對位，可選裝光學(xué)巡邊預(yù)對位 |
| 納米壓印技術(shù) | APC主動平行控制技術(shù)，適合大面積WLO、WLS等工藝 |
| 壓印精度 | 優(yōu)于10nm* |
| 結(jié)構(gòu)深寬比 | 優(yōu)于10比1* |
| TTV控制 | 微米級精度（200mm晶圓） |
| 紫外固化光源 | 紫外LED（365nm）面光源，光強>1000mW/cm2，水冷冷卻（2000mW/cm2類型光源可選配） |
| 設(shè)備內(nèi)部環(huán)境控制 | 標(biāo)配，外部環(huán)境Class 100，內(nèi)部環(huán)境可達(dá)Class 10* |
| 自動壓印 | 支持 |
| 自動脫模 | 支持 |
| 自動工作模具復(fù)制 | 支持 |
| 模具基底對位功能 | 自動對位（選配） |
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